(주)월덱스

Silicon

당사에서 주력하는 반도체용 Silicon-parts는 주로 반도체 전 공정 중 식각(Etching) 공정에 사용되는 부품으로,
주력제품은 Electrode(전극)류 (Cathode, GDP(Gas Distribution Plate), GSP(Gas Shower Plate 등)와 Ring류입니다.

생산 및 판매체계

당사는 일관생산체계를 수립하여 WCQ에서 생산한 잉곳의 90% 이상을 월덱스에서 Si-parts로 가공하여
국내와 중국시장에 납품하고 미국, 일본, 싱가포르, 대만, 유럽 등의 글로벌시장은
당사의 자회사인 WCQ를 통해 판매하고 시장을 넓혀가고 있습니다.

Silicon Ingot

Single Crystal Silicon Ingot Very Large Diameter ingot

Multi-Crystal Silicon “Poly Ingot”

제품명	Single Crystal Silicon Ingot	Multi-Crystal Silicon “Poly Ingot”
적용	Si Electrode Si Ring Si Parts	Si Ring Si Parts
특성	Single Crystal Silicon Ingot	Poly Ingot
순도(%)	99.999999999%(11N)	99.9999999%(9N)
직경	Ø215~Ø600mm	Customer Specification
길이	1300~400mm	1000~800mm
방향	<100>, <110>, <111>	Columnar
Type	P type, Boron Doped	P type, Boron Doped
저항	0.001~1000 Ω-Cm	0.001~1000 Ω-Cm
산소함유량(ppma)	≤ 20 ppma	≤ 20 ppma
카본함유량(ppma)	≤ 0.3 ppma	≤ 0.3 ppma

Silicon Electrode

제품명	Silicon Electrode
제품설명	Gas Flow를 통하여, Plasma 상태를 만들어 주는 역할
적용분야	Etcher
제품종류	Si Electrode, Shower Head, Cel Inner
원료	Single Crystal Silicon
외경	Ø600max
저항	저저항 < 0.1ohm.cm 일반저항 1~20ohm.cm 고저항 60~90ohm.cm
전극 홀	지름(Diameter) 0.4~1.0 원형(Roundness) 편심오차(Concentricity) 0.01
표면처리	Etching, Polishing, Lapping, Cleaning
평탄도	0.01
가공정밀도	0.05

Silicon Ring

제품명	Silicon Ring
제품설명	Electrode에서 생성된 Plasma를 정위치로 모아주는 역할
적용분야	Etcher
제품종류	Focus Ring, Insert Ring, Hot Edge Ring, Outer Ring, Ground Ring 등..
원료	Single Crystal Silicon, Poly Si, CVD SiC
외경	Ø600 Max
저항	저저항 < 0.1ohm.cm 일반저항 1~20ohm.cm
전극 홀	지름(Diameter) 원형(Roundness) 편심오차(Concentricity)
표면처리	Polishing, Lapping, Grinding
평탄도	0.01
가공정밀도	0.05

Silicon others

Silicon Boat

Silicon other parts

제품명	Silicon Boat	Silicon other parts
제품설명	반도체 생산 공정내 Wafer를 이동 및 보관하는 용기	Wafer, Plate, Pin, Tube 등..
적용분야	CVD, 열 산화 및 확산, 이온 주입 등 여러 반도체 생산 공정에 사용	Epi 등 반도체 공정용 부품
종류	종형, 횡형	고객주문형 제작 및 생산